IBE離子束刻蝕

NIE-3500（A）全自動(dòng)IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為全自動(dòng)上下載片，并且通過(guò)計(jì)算機(jī)全自動(dòng)實(shí)現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、自動(dòng)化程度高、模塊化設(shè)計(jì)易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢(shì)。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為。

該IBE離子束刻蝕系統(tǒng)具有很強(qiáng)的適應(yīng)性，可根據(jù)不同的應(yīng)用而按不同的配置進(jìn)行建構(gòu)。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應(yīng)用。用于離子銑系統(tǒng)的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水冷和背氦冷卻。

我們的IBE離子束刻蝕系統(tǒng)可以把基片溫度保持在50°C以內(nèi)的能力。通過(guò)傾斜和旋轉(zhuǎn)，可以刻蝕出帶斜坡的槽，并且改善了對(duì)側(cè)壁輪廓和徑向均勻度的控制。不同的選配項(xiàng)可以用于不同的網(wǎng)格配置以及中和器。濺射選配項(xiàng)可以支持對(duì)新刻蝕金屬表面的涂覆，以防氧化。此外，還可以選配單晶圓自動(dòng)上下片功能。該系列IBM離子銑系統(tǒng)或IBE離子束刻蝕系統(tǒng)可以配置RF ICP離子源，升級(jí)為RIBE反應(yīng)離子束刻蝕系統(tǒng)。

NIE-3500（A）全自動(dòng)IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 低成本
• 帶預(yù)真空鎖，自動(dòng)上下載片
• 離子束：高達(dá)2KV/10mA
• 離子電流密度100-360uA/cm2
• 離子束直徑：4",5",6"
• 兼容反應(yīng)及非反應(yīng)氣體(Ar, O2, CF4,Cl2)
• 極限真空5x10-7Torr
• 260l/s渦輪分子泵，串接500 l/min干泵
• 14"不銹鋼或鋁質(zhì)腔體
• 水冷旋轉(zhuǎn)/傾斜樣品臺(tái)(NIE-3500)
• 自動(dòng)上下載片（NIE-3500）
• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
• 占地面積30"x30"

NIE-3500（A）全自動(dòng)IBE離子束刻蝕設(shè)備應(yīng)用：

• 表面處理
• 離子銑
• 表面清洗
• 帶活性氣體的離子束刻蝕：  光柵刻蝕，以及SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕