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原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機(jī)化合物，合適的前驅(qū)體種類較少而且價(jià)格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長(zhǎng)時(shí)間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長(zhǎng)，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進(jìn)技術(shù)不斷融合以及人們對(duì)原子層沉積設(shè)備的不斷改進(jìn)，諸如“等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時(shí)超...

原子層沉積技術(shù)經(jīng)過(guò)四十多年的發(fā)展，無(wú)論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴(kuò)展與改進(jìn)上，都已經(jīng)取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過(guò)程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。比如：原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機(jī)化合物，合適的前驅(qū)體種類較少而且價(jià)格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長(zhǎng)時(shí)間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長(zhǎng)，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；此外，熱原子層沉積技術(shù)難以用來(lái)沉積金屬Ti，Ta等特殊材料。隨著原子層沉積技術(shù)與其他先...

ICP刻蝕機(jī)作為核心刻蝕工藝設(shè)備，其工藝表現(xiàn)將直接影響鰭式晶體管器件的工藝性能和良率，憑借其優(yōu)良的刻蝕形貌控制、均勻性控制、較低刻蝕損傷、較高刻蝕選擇比等方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，濕法刻蝕由于其固有的局限性，已不能滿足超大規(guī)模集成電路微米、甚至納米級(jí)細(xì)線條的工藝加工要求，干法刻蝕逐漸發(fā)展起來(lái)。在干法刻蝕中，感應(yīng)耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma簡(jiǎn)稱ICP)刻蝕法由于其產(chǎn)生的離子密度高、蝕刻均勻性好、蝕刻側(cè)壁垂直度高以及光潔度好，逐漸...

在各種集成電路的制造過(guò)程中，隨著清洗方法的不斷創(chuàng)新與聯(lián)合應(yīng)用，目前的硅片清洗機(jī)已不再是一個(gè)簡(jiǎn)單的制作步驟，而是一個(gè)系統(tǒng)的清洗工程。硅片清洗技術(shù)的革新與發(fā)展，推動(dòng)了清洗設(shè)備制造企業(yè)加大研發(fā)力度，不僅僅是制造出設(shè)備，從某個(gè)角度來(lái)說(shuō)，還需根據(jù)各家硅片生產(chǎn)企業(yè)的具體情況提供不同的清洗方案和設(shè)備定制設(shè)計(jì)，幫客戶大限度地降低成本和減少損失，同時(shí)盡量減少清洗設(shè)備本身可能帶來(lái)的沾污。未來(lái)的硅片清洗機(jī)將向整合性，集成化與全自動(dòng)的方向發(fā)展。由于硅片表面的污染物會(huì)嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性和成品率...

硅片清洗機(jī)不僅保留了超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn)，而且克服了超聲波清洗的缺點(diǎn)。兆聲無(wú)損清洗機(jī)的工作原理是利用高能（850kHz）頻率效應(yīng)和化學(xué)清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對(duì)硅片進(jìn)行清洗。在清洗過(guò)程中，換能器發(fā)出的高能聲波波長(zhǎng)為1m，頻率為0.8MHZ。在聲波的驅(qū)動(dòng)下，溶液的分子運(yùn)動(dòng)得更快。瞬時(shí)速度可達(dá)30cm/s。因此，無(wú)法形成超聲清洗等氣泡。相反，硅片清洗機(jī)只能用高速的流體波不斷地沖擊晶圓片表面，迫使附著在晶圓片表面的微小污染物顆粒被去除并進(jìn)入清洗溶液中。經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，人們的生活水平不斷提高，對(duì)消費(fèi)...

影響一面平面透鏡的透光度有許多成因。鏡面的粗糙度會(huì)造成入射光的漫射，降低鏡片的透光率。此外材質(zhì)的吸旋光性，也會(huì)造成某些入射光源的其中部分頻率消散的特別嚴(yán)重。例如會(huì)吸收紅色光的材質(zhì)看起來(lái)就呈現(xiàn)綠色。不過(guò)這些加工不良的因素都可以盡可能地去除。光學(xué)鍍膜系統(tǒng)我們知道是由于現(xiàn)代光學(xué)和光電系統(tǒng)重要的組成部分，在光通信、光顯示、激光加工、激光融合等高技術(shù)和工業(yè)領(lǐng)域，技術(shù)突破往往成為現(xiàn)代光學(xué)和光電子系統(tǒng)加速發(fā)展的主要原因。光學(xué)鍍膜的技術(shù)性能和可靠性直接影響到應(yīng)用系統(tǒng)的性能、可靠性和成本。隨著...

通常空氣的成分能夠看作由絕干空氣、水汽、塵土三有些組成。熱真空試驗(yàn)箱溫度為音準(zhǔn)空氣在必定壓力及溫度下所含水汽的質(zhì)量。飽和濕度為單位空氣在該條件下所能包括的大水汽質(zhì)量。溫度超市，空氣中所能包括的水汽越多，飽和濕度越大。濕度與飽和濕度的比值為相對(duì)濕度。假如堅(jiān)持空氣的濕度而下降空氣的溫度，當(dāng)溫度低至必定值后，水蒸汽的分壓力到達(dá)對(duì)應(yīng)于其時(shí)空氣溫度的飽和壓力，該條件下的空氣中水汽就到達(dá)飽和。假如進(jìn)一步下降空氣溫度，水汽就會(huì)從空氣中冷凝析出構(gòu)成“露滴”。這種表象被稱為“凝露”。熱真空試驗(yàn)...

在早些年前ICP刻蝕機(jī)在行業(yè)內(nèi)幾乎都統(tǒng)稱為觸摸屏激光刻蝕機(jī)，在觸摸屏行業(yè)內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用，手機(jī)電阻屏、電容屏的發(fā)展也讓激光刻蝕機(jī)廠家發(fā)展發(fā)生了質(zhì)的變化，主要體現(xiàn)為ITO玻璃激光刻蝕、銀漿玻璃激光刻蝕等，也有一部分是ITO薄膜與銀漿薄膜刻蝕。ICP刻蝕機(jī)是基于真空中的高頻激勵(lì)而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來(lái)從而獲得化學(xué)活性微粒與被刻蝕材料起化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進(jìn)行刻蝕的。同時(shí)為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。ICP刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能...